Auf diese Weise steuert die Spannung an der Gate-Elektrode, ähnlich wie beim klassischen Feldeffekttransistor, empfindlich den elektrischen Strom durch den Transistor. (Quelle: Welt 1997)
Das derzeit gängigste Bauelement ist der Mesfet ("Metal Semiconductor Feldeffekttransistor"), der noch Frequenzen von 40 Gigahertz verstärken kann. (Quelle: FAZ 1994)
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